現階段靶材的制取關鍵有鑄造法和粉未冶金法。
鑄造法:將一定成份配制的合金原材料熔煉,再將合金飽和溶液澆筑于模貝中,產生澆鑄,較終經機械加工制造做成靶材,鑄造法在真空泵中熔煉、鑄造。常見的熔煉方式 有真空泵磁感應熔煉、真空泵電孤熔煉和真空電子負電子熔煉等,其特點是靶材殘渣含量(尤其是汽體殘渣含量)低,相對密度高,可進口替代;缺陷是對溶點和相對密度相距過大的二種或兩種以上金屬材料,一般熔煉法難以獲得成份均衡的合金靶材。
粉未冶金法:將一定成份配制的合金原材料熔煉,澆筑成澆鑄后再破碎,將粉碎產生的粉末狀經等靜壓成型,再高溫煅燒,較后產生靶材,其特點是靶材成份勻稱;缺陷是相對密度低,殘渣含量高,常見的粉末冶金工藝包含冷擠壓、真空泵壓合和熱等靜壓等。
一、依據不一樣材料靶材可分成:金屬材料靶材,瓷器(金屬氧化物、氮化合物等)靶材,合金靶材。 二、依據不一樣運用角度可分成(掌握)
1、半導體材料關系靶材: 電級、走線薄膜:鋁靶材,銅靶材,金靶材,銀靶材,鈀靶材,鉑靶材,鋁硅合金靶材,鋁硅銅合金靶材等。 存儲器電級薄膜:鉬靶材,鎢靶材,鈦靶材等。 黏附薄膜:鎢靶材,鈦靶材等。 電力電容器絕緣層膜薄膜:鋯鈦酸鉛靶材等。 2、磁記錄靶材: 豎直磁記錄薄膜:鈷鉻合金靶材等。 電腦硬盤用薄膜:鈷鉻鉭合金靶材,鈷鉻鉑合金靶材,鈷鉻鉭鉑合金靶材等。 薄膜磁帶機:鈷鉭鉻合金靶材,鈷鉻鋯合金靶材等。 晶狀體薄膜:鈷鉑合金靶材,鈷鈀合金靶材等。 3、光紀錄靶材: 改變光碟紀錄薄膜:硒化碲靶材,硒化銻靶材,鍺銻碲合金靶材,鍺碲合金靶材等。 磁光碟紀錄薄膜:鏑鐵鈷合金靶材,鋱鏑鐵合金靶材,鋱鐵鈷合金靶材,三氧化二鋁靶材,輕質氧化鎂靶材,氮化硅靶材等。
光碟反射面薄膜:鋁靶材,鋁鈦合金靶材,鋁鉻合金靶材,金靶材,金合金靶材等。 光碟維護薄膜:氮化硅靶材,二氧化硅靶材,氧化鎢靶材等。 4、表明靶材: 全透明導電性薄膜:氧化銦錫靶材,活性氧化鋅鋁靶材等。 電級走線薄膜:鉬靶材,鎢靶材,鈦靶材,鉭靶材,鉻靶材,鋁靶材,鋁鈦合金靶材,鋁鉭合金靶材等。 電致發光薄膜:氧化鎢摻錳靶材,硫化鋅摻鋱靶材,硫化鈣摻銪靶材,氧化釔靶材,空氣氧化鉭靶材,鈦酸鋇靶材等。 5、別的運用靶材: 裝飾設計薄膜:鈦靶材,鋯靶材,鉻靶材,鈦鋁合金靶材,不銹鋼板靶材等。 低電阻器薄膜:鎳絡合金靶材,鎳鉻硅合金靶材,鎳絡鋁合金靶材,鎳銅合金靶材等。 高溫*導薄膜:釔鋇銅氧靶材,鉍鍶鈣銅氧靶材等。 *工具鍍薄膜:氮化合物靶材,滲碳體靶材,硼化物靶材,鉻靶材,鈦靶材,鈦鋁合金靶材,鋯靶材,高純石墨靶材等。
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